新华网长春6月14日电(记者王强) 中国半导体科学事业开拓者之一，中国工程院资深院士、吉林大学教授高鼎三因病医治无效，于6月13日在长春逝世，享年88岁。

　　高鼎三是中国著名的半导体物理学家、教育家。他1914年出生于上海，毕业于西南联大物理系，后赴美国加利福尼亚大学深造，1955年回国后到吉林大学物理系任教，1959年领导创建了当时国内唯一的半导体系。

　　高鼎三在国内首先研制成锗大功率整流器，而后又研制成锗点接触二极管、锗三极管及锗光电二极管；较早地开展了热敏电阻、隧道二极管的研究。20世纪60年代又开展GaAs激光器、大功率晶闸管的研制工作，使同质结激光器实现激射；1976年主持研制的“室温连续工作的Zn扩散GaAs平面条形双异质结激光器”获得成功。(完)

   动感短信、闪烁图片，让您的手机个性飞扬！
      订阅短信头条新闻，第一时间获得重大新闻突发事件