图文：我国化合物半导体材料进入生产阶段

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图文：我国化合物半导体材料进入生产阶段

http://www.sina.com.cn 2002年09月04日15:18 新华网

我国化合物半导体材料进入生产阶段

　　9月4日　　我国化合物半导体材料进入生产阶段　　8月31日，北京圣科佳电子有限责任公司的技术人员在展示他们生产的四英寸Ｐ－ＨＥＭＴ赝配高电子迁移率晶体管产品。由这家公司利用以中科院物理所对分子束外延领域的研究成果研发生产的化合物半导体外延材料已进入生产阶段。这种材料广泛应用于电子对抗、精确制导、预警探测等国防和民用领域。　新华社记者刘海峰摄（数码传真照片）�