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新华社北京11月3日电北京有色金属研究总院今天宣布,科研人员日前研制出我国第 一根直径为18英寸(450
毫米)直拉硅单晶,标志着我国在这一领域进入世界领先行列。
北京有色金属研究总院是我国主要的半导体研究、开发、生产基地,在硅单晶研究方面一直保持世界先进水平,形成
了我国具有自主知识产权的大直径硅单晶制备技术。此次研制成功18英寸直拉硅单晶,将对提高我国半导体材料工业的研究
水平,推动集成电路和信息产业的发展产生积极影响。
据最新的《国际半导体技术指南(ITRS)》,直径18英寸硅单晶抛光片是12英寸的下一代产品,也是未来2
2纳米线宽64G集成电路的衬底材料,在国际上还处于基础研究阶段。目前,8英寸直拉硅单晶抛光片为国际主流产品。
(新华日报)
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