中国台湾网7月30日消息　据外电报道，力晶半导体、茂德科技、南亚科技与华邦电子等台湾四大内存芯片制造商，计划投资100亿美元，借此迎头赶上日、韩竞争对手。

　　报导指出，台湾DRAM厂希望借由加速投资与大手投资的方式与日、韩同业并驾齐驱，台湾厂目前在全球DRAMDRAM（动态随机存取内存DynamicRandon Access Memory）市场的占有率将近20%。

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　　不过，报导未引述消息来源说，台湾DRAM厂争相投产恐导致供给过剩，可能不利产业发展。

　　据了解，力晶可能投资近21亿美元；茂德将投资近45亿美元，南亚科技则寻求近20亿美元资金，华邦则已开始投资近15亿美元。（潇凝）