新闻中心新浪首页 > 新闻中心 > 国内新闻 > 正文

北理工加强闪存领域研发


http://www.sina.com.cn 2005年03月31日09:53 光明网

  朱振国 赵艳玲

  日前,北京理工大学与株式会社东芝就NAND型闪存合作在京签署了协议。根据协议,东芝将于2005年4月开始,派讲师在北京理工大学给大四学生以及研究生讲授NAND型闪存知识的课程,并在该校设立共同研究室,实施实习生计划。

  这个协议旨在培养中国年轻的NAND型闪存应用开发人才,在北京理工大学进行学习东芝先进的半导体技术,通过实践扩展事业,增强与社会的联系等教育研究活动。东芝希望通过这些活动把自己先进的半导体存储技术介绍到北京理工大学。作为协议的具体实施项目,继4月由东芝派遣讲师的五个月后,双方将在北京理工大学成立共同研究室。


 
推荐】【 小字】【打印】【下载点点通】【关闭
 
新 闻 查 询
关键词
免费试用新浪15M收费邮箱 赶紧行动!

缤 纷 专 题
春意融融
绿色春天身临其境
水蓝幸福
海螺爱情精彩图片
请输入歌曲/歌手名:
更多专题 缤纷俱乐部
 
 


新闻中心意见反馈留言板 电话:010-82612286   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2005 SINA Inc. All Rights Reserved

版权所有 新浪网