我国集成电路核心装备的研发取得重大突破

　　新华网北京9月28日电（记者 邹声文、崔清新）国家863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着我国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

　　据了解，目前我国集成电路的几十条成批量生产线全部靠进口。缺乏核心竞争力和自主创新能力，使我国集成电路产业特别是装备等核心技术方面往往受制于人。

　　科技部高新技术发展及产业化司副司长戴国强介绍说：“集成电路制造的核心装备主要包括七项设备，这次研发通过的两项核心设备将有助于扭转我国集成电路制造装备依赖进口的局面。”

　　科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让我国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。

　　他说，这两种设备的技术水平基本与我国集成电路制造业主流技术水平更新同步，使未来2至3年我国的集成电路制造业在实现精度升级时能够使用国产装备。

　　“虽然目前我国集成电路制造业核心设备所能达到的精度是100纳米，与国际上刚实现的65纳米精度相比还有距离，但和我们以前的水平相比，已经有了很大的进步。”戴国强说，使用我国自主研发的设备与进口国外同类设备相比还可节约20％的成本。

　　我国集成电路制造业的发展同时还为集成电路制造装备创造了可观的市场空间。据预测，到2010年，我国集成电路产业投资累计将达到3500亿元，其中大部分将用于集成电路制造装备投资。这一趋势使我国市场正在成为全球集成电路制造装备业争胜的焦点。

　　28日，业主企业北京北方微电子公司和北京中科信公司与我国最大的集成电路代工厂－－中芯国际公司分别签订了刻蚀机和离子注入机的批量采购合同，这也是我国国产主流集成电路核心设备产品实现首次销售。

　　不过，戴国强指出，这次集成电路制造装备的零部件主要还是依靠进口，与实现集成电路制造装备的完全自主研发还有一定的距离。来源：新华网