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　　新华社汉城2月20日电（记者张锦芳）韩国三星电子公司最近成功开发新一代超高速存储器芯片“ＸＤＲＤＲＡＭ”，并将投入批量生产。

　　据《韩国经济新闻》报道，这款芯片是目前动态随机存储器（ＤＲＡＭ）芯片中速度最快的。它的运算速度达到每秒3．2千兆位（Ｇｂｐｓ），即一个芯片每秒可以传送1万本300页厚的书的全部内容。与同类普通超高速半导体芯片相比，“ＸＤＲＤＲＡＭ”芯片的运算速度要快4倍。

　　三星电子公司的“ＸＤＲＤＲＡＭ”新一代芯片采用了单系统线路，既具有新一代超高速存储器芯片的技术特点，又能降低生产成本。三星电子公司计划在今年年底将这款芯片投入批量生产。