人民网汉城10月11日电记者徐宝康报道：韩国三星集团公司10日宣布，为加速半导体产品的更新换代，在今后5至10年内将把闪烁存储器作为新成长动力，从而步入半导体第2次腾飞的时代。

　　三星集团公司宣布《进入半导体第2次腾飞时代》，标志着三星集团公司在半导体更新换代上迈出了具有历史意义的一步。9日至10日，三星集团公司总裁李健熙主持召开了“半导体特别战略会议”，会议决定把半导体领域中的最新产品闪烁存储器作为新的成长动力，以取代收益性下降的动态随机存储器（DRAM）。

　　闪烁存储器与DRAM不同，即使切断了电源也能长时间保存文件。DRAM只用于电脑等特定产品部件，而闪烁存储器能用于市场需求急增的三维动画、手机、数码相机、存储卡、USB存储器和MP3等各种产品。闪烁存储器的价格近来一直攀升。

　　三星公司计划，明年将存储器半导体的销售总额增加20%，达到100亿美元，并致力于提高闪烁存储器的市场占有率。三星公司表示，在闪烁存储器领域中，将继续提高市场占有率。尤其在目前占有65%的市场份额、排在世界第一位的NAND型（数据存储型）领域，继续拉大与第二位的差距，并继续提高NOR型（编码存储型）的市场占有率，明年将在全部闪烁存储器市场上赶超英特尔公司，成为世界第一。

　　据预计，三星公司明年将在340亿美元的世界存储器半导体市场上占有30%的市场份额。三星电子公司自从1999年成功开发出256兆NAND闪烁存储器之后，2000年又首次开发了512兆NAND闪烁存储器，去年和今年分别率先开发出了1G和4G产品。来源：人民网