据报道，日本半导体行业宣布一项9亿多美元的研发计划以便在2006年3月取代目前的Asuka计划。这个尚没有命名的计划旨在加强半导体行业、学术机构和政府部门在半导体芯片、半导体设备和材料研发方面的合作。这个计划是日本电子和信息技术产业协会的半导体执行委员会于6月10日宣布的。这个计划要求在从2006年开始的五年里投资大约1000亿日元（9.1亿美元）。目前的MIRAI计划是一项国家计划，主要研究45纳米和45纳米以下节点工艺的半导体基础技术。Asuka计划是由一些企业组成的，主要研究65纳米节点的工艺。这两个计划都在筑波的超级净化室进行。这个新的计划将在联合的筑波研发中心与MIRAI计划的研发工作更紧密地结合在一起。这个新的研发计划重点研究远紫外光刻技术、金属闸氧化物和低介电值耐蚀膜等领先的半导体技术。这些技术的研发工作将全部在筑波的超级净化室进行。（本报编辑）