日前，三星电子宣布制造出了全球首款DDR3 DRAM存储器原型。该款最新的512MBDDR3DRAM存储器能够达到1066Mbps的非凡处理速度（相当于每秒处理8000页报纸），并将于2006年初实现量产。DDR3将成为笔记本电脑、台式器和服务器使用的下一代高性能、低耗能存储芯片的标准。
三星半导体存储芯片销售和市场高级副总裁TomQuinn表示：“我们在DDR3上面的成功使我们获得了足够的动力，从而以最快的速度将高端存储设备引入市场。”
三星电子的该款DDR3芯片原型耗电量极小，是日益增长的无线领域中第一款能够在1.5伏低电压下工作的存储芯片。它采用80纳米的先进技术，运行速度分别是DDR2的两倍和DDR的四倍，并首次将存储器处理速度提升到了GHz的级别，还可以进行自驱动校准和数据同步技术。
三星电子分别在1998年和2001年推出了DDRDRAM和DDR2DRAM存储芯片。2003年的11月，JEDEC标准机构为三星颁发了“技术荣誉奖”，以表彰三星电子为DDR2标准所做的贡献。如今，三星电子的这款基于DDR3标准的512MBDRAM存储芯片原型将以更快的速度和更低的能耗开启电脑产品的新纪元。三星电子也将在DDR3标准化的过程中扮演主要的角色。
三星的下一代DRAM产品线包括XDR、DDR2以及现在的DDR3存储芯片。半导体市场研究公司IDC预测第一批DDR3DRAM将于2006年面市，到2009年将占领整个DRAM市场65%的份额。
