多家公司联手开发下一代存储技术 |
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http://www.sina.com.cn 2005年05月24日18:52 云南日报 |
新华社洛杉矶5月23日电(记者陈勇)美国国际商用机器公司(IBM)和德国内存制造商英飞凌公司23日宣布,他们将和中国台湾的旺宏公司合作,开发下一代存储技术——相变存储,着眼于“摩尔定律”之后的信息技术发展。 目前,包括计算机、消费电子产品等,应用的都是铁氧体存储技术,利用磁性的铁氧体微粒在不同电场下指向不同,来表示二进制中的“0”和“1”。它要在加电状态下才能实现数据读写,而且存储信息的密度取决于铁氧体微粒的大小。 “摩尔定律”曾预言,内存芯片的存储密度和晶体管芯片的集成度类似,将大致每18个月翻一番。这样用于存储的铁氧体微粒越来越小,到纳米级后将表现出不同的特性,因此也会遇到“瓶颈”问题。 而相变存储技术利用材料的相变特性,可望突破这一“瓶颈”。某些材料的结构在温度等外界条件突变时会发生变化,使材料在晶体态和类似玻璃的无定形态之间转换,这被称为相变。 材料在不同状态时反光率不同,如果晶体态代表“1”、无定形态代表“0”,用激光照射材料就可以读取它相变时存入的信息。IBM和英飞凌认为,相变存储技术与铁氧体存储技术相比,存储密度更大、速度更快、耗能也更少,而且具有不依赖外界电源的优势,断电时也可以实现信息读写。 三家公司计划,投入20至25名研究人员从事相变存储技术的长期研究,研究工作将主要在IBM设于纽约和加利福尼亚圣何塞的实验室进行。 另据报道,英特尔公司正在长期开发另一类相变存储材料——奥弗辛斯基效应存储材料,飞利浦公司也有相变存储材料研发计划。业内人士预测,20年内相变材料等新一代存储材料将取代铁氧体内存。 |