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中国半导体物理学奠基人黄昆在京病逝 享年86岁(图)


http://www.sina.com.cn 2005年07月07日15:09 中国新闻网
中国半导体物理学奠基人黄昆在京病逝享年86岁(图)
  中新网7月7日电据新华网消息,著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一、2001年度国家最高科学技术奖获得者、中国科学院院士黄昆因病于7月6日16时17分在北京逝世,享年86岁。

  黄昆,中科院院士,著名固体物理学家,浙江嘉兴人,1919年9月生于北京。中共党员。九三学社成员。1941年燕京大学物理系毕业。1945年获西南联合大学硕士学位。1945年留学英国,为固体物理学家、诺贝尔奖金获得者莫特教授的研究生。1947年获英国不列斯托大学物理博士学位。1948年任英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系研究员。1951年回国,1951至1977年在北京大学物理系任教授,1977年至1983年任中国科学院半导体研究所所长。自1983年至今,任名誉所长。

  黄昆1955年当选为中国科学院物理学数学部委员(院士),1980年被瑞典皇家科学院聘为外籍院士,1985年当选为第三世界科学院院士。1987年至1991年任中国物理学会理事长。

  1984年黄昆获英国圣母玛利亚大学授予的“理论物理弗雷曼奖”,中美洲州立大学协会授予的“卓越的外国学者”称号。1986年被全国总工会授予“全国优秀科技工作者”称号和“五一”劳动奖章。1995年10月获“1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖”。1996年6月获1995年度陈嘉庚奖—数理科学奖。夫人是艾夫·里斯(李爱扶)。

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