楚天金报讯 据新华社电 中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说,他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,可让数据擦写更容易、迅速,整个过程都可在低电压条件下完成,为实现芯片低功耗运行创造了条件。
研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说:“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术,在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
据王鹏飞介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件,过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限,基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在于体积可更小,结构更简单,读写速度更快,且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。
(原标题:我国科学家发明半浮栅晶体管)
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