新华网华盛顿9月30日电（记者毛磊）美国国际商用机器公司（ＩＢＭ）30日宣布，首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管，它的速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍，能耗比后者降低80％，有望用于制造下一代高性能移动电话等设备。

　　ＩＢＭ公司发布的新闻公报介绍说，该公司研究人员当天在法国图卢兹举行的一个专业会议上公布了有关新型晶体管的技术细节。

　　“绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术，它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层，能够减少电流干扰、降低能耗，显著提高晶体管性能。目前，该技术主要用来制造高性能的互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）晶体管，这种晶体管是计算机中执行计算任务的微处理器的基础。不少研究人员一直在尝试将“绝缘体上硅”技术与硅锗双极晶体管结合，但均未获得成功。硅锗双极晶体管能够有效放大无线电频率信号，目前主要在无线通信领域得到应用，缺陷是现有制造工艺成本较昂贵，而且产品能耗较高。

　　ＩＢＭ公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体管铺平了道路。这种新元件由于将更高的计算和通信能力结合在一起，因而可以提高下一代移动电话的视频处理等性能。据ＩＢＭ公司研究人员预计，类似元件可望在5年内投入商业化生产。（完）（来源：新华网）