英特尔采用纳米新工艺生产存储芯片

http://www.sina.com.cn 2004年09月02日10:05 新华网

　　新华网洛杉矶9月1日电（记者司久岳）世界最大芯片生产商美国英特尔公司近日宣布，英特尔采用目前最先进的65纳米芯片制造工艺生产出了储存量为70兆的静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）芯片。

　　英特尔公司称，与90纳米工艺相比，使用65纳米制造工艺可将晶体管尺寸缩小约30％，从而可以在一块芯片上集成更多晶体管。这种新工艺为英特尔将来推出多内核电脑中央处

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理器芯片以及开发视频和安全等方面的新功能奠定了基础。

　　1纳米等于1米的十亿分之一。英特尔公司说，65纳米制造工艺是目前最先进的芯片生产工艺。它可以提高芯片性能，还具有节能等特点。