新工艺使单个硅片加工出的芯片数量翻番

　　新华网华盛顿6月12日电（记者 张忠霞 曲俊雅）美国得克萨斯仪器公司12日宣布，该公司开发出一种新的生产工艺，能使单个硅片加工成的芯片数量翻番。

　　该公司发表声明说，新工艺下生产出来的芯片的存储单元是目前最小的45纳米级静态存储单元，单元面积仅为0．24平方微米，比其他同级别存储单元小30％。这一新的芯片制造工艺还可使设备处理速度提高约30％，减少能耗40％，预计2008年投入生产。

　　得克萨斯仪器公司是美国最大的手机芯片制造商，据称新工艺的成功开发将帮助它更好地与芯片巨头英特尔公司抗衡。英特尔公司的一位负责人当天回应说，他们目前还不能断定得克萨斯仪器公司的芯片工艺到底取得了多大进展，但英特尔公司在芯片制造方面不久也将有类似的进展。（完）