英国开发出提高晶体管运行速度新技术 | |||||||||
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http://www.sina.com.cn 2006年08月20日09:46 云南日报 | |||||||||
新华社伦敦8月19日电(记者葛秋芳)英国研究人员开发出一种新技术,可使双极晶体管的运行速度提高一倍。 英国南安普敦大学近日发布的消息说,该校研究人员应用硅双极灌氟技术,使双极晶体管的运行速度达到110吉赫兹,这一速度比现有纪录高出一倍。
据负责该项研究的彼得·阿什伯恩介绍,这种技术通过阻止晶体管底部的硼扩散,使晶体管底部宽度变窄,从而让电子能以更快的速度穿越晶体管底部。 研究人员称,利用这一技术还可将晶体管底部的硼扩散再降低50%,他们正在就此进行研究。 双极晶体管是固体半导体器件,通常应用于移动电话和各种无线通信设备中。 | |||||||||