我国集成电路100nm核心装备研发获重大突破

　　红网长沙10月19日讯（记者 刘怡斌 通讯员 杨兰娟）湖南省信息产业厅有关负责人今天透露说，由中国电子科技集团公司第48研究所承担的“十五”国家高技术研究发展计划（863计划）集成电路制造装备重大专项---100nm大角度离子注入机项目日前顺利通过国家科技部和北京市人民政府组织的项目验收。

　　该设备的研制成功，打破了国外的技术封锁，让我国高端集成电路核心装备技术水

　　离子注入机是标志集成电路的芯片制造生产线工艺水平的关键设备。自2002年12月100nm大角度离子注入机项目正式立项以来，48所组织科研力量，进行了近三年的艰苦攻关，突破了一系列关键技术。2004年4月，项目顺利通过科技部组织的重大节点检查，12月，完成原理样机和α机研制。2005年6月完成β机研制，8月β机运抵中芯国际（天津）生产线，至今完全按照进口离子注入机运行方式运行。期间突破了离子光学技术、长寿命离子源技术、平行束技术、靶室技术、控制技术、工艺与标准技术等六大关键技术，共申请137项专利，获得7项软件版权。

　　2006年9月28日，与中芯国际正式签订两台100nm大角度离子注入机采购合同，使我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，在该领域产业化上又迈出了可喜的一步。

　　专家组一致认为，该设备的技术水平基本与我国集成电路制造业主流技术水平更新同步，确保未来两三年我国集成电路制造业从180nm向130nm和90nm升级时，实现专用装备的国产化，有助于扭转我国集成电路制造装备受制于人的局面，对提高我国集成电路制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有十分重要的战略意义。