5英寸芯片国家示范项目在衡动工

　　本报8月27日讯（记者 朱章安 通讯员 许武权）8月26日上午，5英寸新型电力电子器件———IGBT（绝缘栅极晶体管）、VDMOS（垂直双扩散型场效应管）芯片高技术产业化示范工程项目一期工程及太阳能硅光伏电池片生产项目，在衡阳市高新区动工建设。该项目一期工程占地68.89亩，总投资1.5亿元，建设周期一年。项目建成投产后，可实现年销售收入7.78亿元、利税1.08亿元。

　　据项目建设单位湖南晶鸿微电子有限公司、衡阳晶体管有限公司董事长兼总经理李爱夫介绍，5英寸芯片项目是经国家发改委批复的高技术产业化示范工程项目，生产的新型电力电子器件IG鄄BT、VDMOS集高频、高压和大电流等特性于一身，具有明显的节能、功能驱动作用，广泛应用于高频焊机、逆变电源、汽车电子、变频空调、节能灯与整流器、笔记本电脑与不间断电源、电力机车与数控机床、通讯及国防科技等领域。该项目的建设，具有重大的经济意义和战略意义。

　　另据介绍，太阳能光伏发电是21世纪最重要的新能源之一。而太阳能电池是太阳能光伏发电最基本的元件，是光伏产业链中最关键的一环。太阳能硅光伏电池片生产项目在衡阳的实施，将极大地推动我省光伏产业的发展。