11月22日，中国科学院公布了2019年度新当选院士名单，北京师范大学物理学系1996届博士毕业生常凯当选。

常凯出生于1964年8月，安徽潜山人，1987年和1996年分别获得北京师范大学物理学硕士和博士学位（导师马本堃先生），现任中国科学院半导体研究所研究员。2004年获得国家自然科学二等奖（排名第三）；2005年获得国家杰出青年科学基金资助；2013年获中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理奖。曾任第33届国际半导体物理大会程序委员会主席；第16届国际窄能隙半导体会议主席。2019年当选中国科学院院士。

常凯是我国半导体物理领域的优秀学科带头人。他立足国内，在半导体物理这个国际竞争最激烈的领域，在理论方法、超薄异质结构的能带调控、自旋轨道耦合和量子相等研究方向，取得了一系列原创性强的成果。在主流半导体材料的极性界面研究中，他发现超薄异质结构极性界面处可以存在极强的局域电场，预言可由此大幅度地调控半导体量子结构的能带和带隙，还可实现拓扑相变，突破了拓扑材料必须是含有重元素的窄能隙系统的传统认识。这些预言为实验证实，打开了大范围调控半导体物性的新途径，为半导体拓扑光电器件的应用提供了物理基础，激发了后续实验和理论研究。他预言半导体量子结构中Rashba自旋轨道耦合的非线性行为，提出的非线性Rashba模型被实验证实，纠正了国际上长期广泛使用的Rashba模型用于窄能隙半导体时的偏差；建立包括电子和空穴在内的多带多体理论模型，预言窄能隙半导体量子阱中存在本征自旋霍尔效应，被实验验证。提出通过带间耦合，在本征拓扑绝缘体中实现铁磁序，为理解拓扑绝缘体磁性和量子反常霍尔效应提供了物理基础。他在InAs/GaSb半导体量子阱中，预言了激子绝缘体基态能隙及光吸收谱特有的双峰结构，被实验验证，提供了激子绝缘相存在的确凿证据。常凯的工作揭示了半导体量子结构中丰富的物理内涵。常凯目前发表SCI论文155篇，多项工作得到国际同行的正面评价和承认，并被写入综述文章和专著中。