2023年初爆发的AI革命，让ChatGPT一词进入了大众的视界，也让市场开始关注AI或将带来的产业链机遇。AI技术的发展带来了数据需求的井喷式爆发，由此推动了行业对存储的需求高涨。
实际上，在多种因素影响下，经历了2年的蛰伏以后，存储行业的景气度已呈现向上态势。市调机构数据显示，进入第四季度，多个型号的存储芯片呈现涨价之势。第四季Mobile DRAM(移动动态随机存取存储器)合约价季涨幅预估将扩大至13%至18%。NAND Flash(闪存存储器)方面，eMMC(嵌入式多媒体存储芯片)、UFS(通用闪存存储芯片)第四季合约价涨幅约10%至15%。受行业周期上行因素影响，多家存储产业上市公司近期业绩出现反转。
1月29日，科创板存储企业佰维存储(688525.SH)发布2023年年度业绩预告，预计公司2023年度实现营业收入35-37亿元，同比增长20%-22%。其中，第四季度公司实现营收14-16亿元，同比增长超过80%，环比增长超过50%，毛利率环比回升超过13个百分点。值得注意的是，在2023年整体行业大环境表现不佳的大背景下，佰维存储的营收以20%以上的增速达到历史新高。
进入2024年，存储器涨势持续延续。根据研调机构集邦科技(Trendforce)最新报告，Nand今年第1季价格将再涨18%至23%，Dram今年一季度合约价季涨幅约13%-18%，特别是移动设备内存预计涨幅最高可达23%。受行业利好因素影响，国内存储企业财务表现有望继续提升。
存储行业复苏 AI应用成新需求爆发点
2022年以来，受全球宏观经济“逆风”影响，IT市场需求迅速下降，连带存储产品量价齐跌。2023年全球存储器市场规模下降了37%，连带国内外存储企业均承受巨大的经营压力，三星、美光、海力士等存储巨头2023年均出现明显亏损，佰维存储受行业因素影响全年毛利率降低约10%。
自四季度以来，受存储大厂缩减产能以及下游以手机为代表的消费电子市场出现边际复苏，存储器市场开始反转。展望2024年，存储器价格也将延续上涨态势，美国调查公司Gartner去年(2023年)12月发表预估报告指出，2024年存储器需求将呈现强劲复苏、营收预估将暴增66.3%，其中2024年闪存营收预估将暴增49.6%、内存营收预估将暴增88%。
对此，佰维存储表示，公司将持续深耕存储主业，致力于大客户市场的开拓与突破，同时，公司将继续加大研发投入，完善产业链布局，增强硬科技实力，以更好的把握产业景气度回升实现业绩快速成长。
值得注意的是，存储器市场可谓是受AI机遇影响最大的赛道，比如AI热潮的兴起便直接带动了存储器市场HBM(高带宽内存)概念的火爆。简单而言，随着AI对于数据处理需求的几何式增加，GPU的性能要求不断增加，GPU需要更快的从内存中访问数据，这就对新型存储技术与容量提出了更高的要求。
另一方面，AI应用开始从资料中心/服务器扩及到各项层面，让智能手机、PC、物联网等终端装置搭载的存储器容量都可望看增，也是未来持续带旺存储芯片的庞大动能。
有市场人士表示，未来算力即货币，其中，计算、存储与网络三位一体不可或缺。
持续提升研发强度 稳定布局先进封测领域
作为一家半导体企业，仅仅立足于销售渠道的拓展，不足以赋予企业持久的生命力。一手抓销售，一手抓硬研发强度，是佰维存储自成立以来便始终坚持的发展策略。业绩预告显示，2023年度，公司研发费用扣除股份支付后增幅超过50%，叠加对于研发人员的股份支付因素，是导致公司在四季度利润下行的主要因素。
随着AI技术的发展以及半导体技术继续向前沿领域发展，行业对于先进封测技术的需求不断提升。以AI带火的HBM为例，HBM可简单理解成一种先进的堆叠技术，通过更立体紧凑的设计实现更优的效能和更低的功耗，这就对封装工艺的要求提升了很多。特别是HBM核心技术之一的硅通孔(TSV)技术，是实现先进封装的关键。
佰维存储很早便意识到先进封装对于半导体特别是存储行业未来发展的重要性。佰维存储的惠州先进封装工厂已正式运营。公司掌握的16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NANDFlash芯片、DRAM芯片和SiP封装芯片的大规模量产提供支持。
针对先进封装在HBM领域的运用，公司与东莞松山湖新技术产业开发区管理委员会签订《东莞松山湖高新技术产业开发区项目投资意向协议》，其中一期投资项目为公司向特定对象发行A股股票的募投项目“晶圆级先进封测制造项目”。该晶圆级先进封测项目主要是实现凸块(Bumping)、重布线(RDL)、扇入(Fan-in)、扇出(Fan-out)、硅通孔(TSV)等工艺技术。一旦成功落地运营，将有望支持佰维存储成为国内存储领域先进封装的代表性企业，也为国内实现HBM产业链的国产替代奠定扎实的基础。
除此以外，在内存技术的研发领域，佰维存储也在有序推进。根据公开资料显示，去年底，佰维存储宣布成功研发出支持CXL2.0规范的CXL DRAM。该内存内存容量最高 96GB，同时支持 PCIe 5.0×8 接口，理论带宽可达 32GB/s。作为对比，三星存储于2023年5月宣布全球首家研发出支持CXL 2.0的CXL DRAM，其性能指标为最大内存容量128GB，支持PCIe 5.0(x8通道)，提供高达每秒35GB的带宽。佰维存储与全球头部企业在前沿存储研发领域的差异已然不大。而CXL作为下一代内存可扩展设备，能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率，佰维存储的这一研发进展，将明显有助于其扩大在服务器市场的竞争优势。
同时，作为存储器另一大核心产品的主控芯片研发，佰维存储也有突破，其研发的主控芯片已在近期回片点亮，正在进行量产准备。
在行业复苏以及AI技术机遇的影响下，存储企业的业绩反转曙光已现。对此，佰维存储表示，公司将继续把握行业周期上行以及存储行业技术迭代的发展机遇，深耕主业，不断强化对前沿存储技术的研发强度，为国内存储行业的发展以及公司业绩的持续稳健增长打下扎实的基础。
（来源：News快报）
